半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009178356
Publication number (International publication number)：2010056546
Application date： Jul. 30, 2009
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上に第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に第2の絶縁膜及び導電膜とを有し、前記酸化物半導体層と前記第2の絶縁膜とが接する第1の領域は、ゲート電極と少なくとも一部重なり、前記酸化物半導体層と前記導電膜とが接する第2の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第1の領域における前記酸化物半導体層の膜厚より薄い半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/86 , G02F 1/136

FI (15)：

H01L29/78 627B , H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 619A , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U , H01L29/78 617V , H01L29/78 618A , H01L21/28 301B , H01L21/316 X , H01L21/316 Y , H01L21/318 B , H01L21/86 , G02F1/1368

F-Term (145)：

2H092GA59 , 2H092HA04 , 2H092HA05 , 2H092JA26 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA20 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA42 , 2H092NA22 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD63 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F045AA19 , 5F045AB40 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AE01 , 5F045AF07 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA57 , 5F045DQ17 , 5F045HA24 , 5F058BA20 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BG01 , 5F058BJ04 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE38 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-262991 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-273863 Applicant：キヤノン株式会社
液晶表示装置用アレイ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-216046 Applicant：株式会社東芝

Show all

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-262991 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-273863 Applicant：キヤノン株式会社
液晶表示装置用アレイ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-216046 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page