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J-GLOBAL ID：201003040402275519

電界効果型半導体装置

Inventor：
石川 健治

About 石川 健治


Applicant, Patent owner：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

About 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社


Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008261431
Publication number (International publication number)：2010093051
Application date： Oct. 08, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：
【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるoff時のリーク電流を抑制して、on-off比を高くする。【解決手段】 ソース領域及び第1ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1ソース領域及び第1ドレイン領域の少なくとも一方が第1金属或いは第1多結晶半導体からなるとともに、前記第1金属或いは第1多結晶半導体と第1半導体チャネル層との間に形成された第1トンネル絶縁膜を有することを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (15)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/14 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/66
FI (18)：
H01L29/78 301J ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 616S ,  H01L27/10 381 ,  H01L21/28 A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321G ,  C23C14/32 F ,  C23C14/14 B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/66 T ,  H01L29/78 618C
F-Term (158)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA03 ,  4K029BA13 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029BD02 ,  4K029CA03 ,  4K029CA15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB20 ,  4M104BB24 ,  4M104BB27 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD36 ,  4M104DD68 ,  4M104DD84 ,  4M104EE02 ,  4M104EE16 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC11 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F083BS15 ,  5F083BS16 ,  5F083BS27 ,  5F083BS29 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG39 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK50 ,  5F110HL04 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN65 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140AA37 ,  5F140AB03 ,  5F140AC14 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB00 ,  5F140BB04 ,  5F140BB05 ,  5F140BC13 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF58 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BH30 ,  5F140BH33 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK09 ,  5F140BK12 ,  5F140BK17 ,  5F140BK28 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE02 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20 ,  5F140CF05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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