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J-GLOBAL ID：201003041442548069
スピントランジスタ及び論理回路装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009071363
Publication number (International publication number)：2010225835
Application date： Mar. 24, 2009
Publication date： Oct. 07, 2010
Summary：
【課題】強磁性体からなるソース・ドレインと有機チャネルとの間の界面抵抗が低く、良好なトランジスタ動作を実現するスピントランジスタ及び論理回路装置を提供する。【解決手段】基板5と、基板上に設けられたチャネル層7と、チャネル層上に設けられ、強磁性体を含む第1電極10及び強磁性体を含む第2電極20と、チャネル層上において前記第1及び第2電極との間に設けられたゲート電極8と、チャネル層と第1及び第2電極との間のそれぞれに設けられた第1挿入層30及び第2挿入層40と、を備えたスピントランジスタを提供する。チャネル層は、六員環ネットワーク構造を有する炭素材料からなる。第1及び第2挿入層は、Pを含むGe、Bを含むGe、Pd、Co及びRhの少なくともいずれかを含む、または、Li、Na、Caのいずれか、または、それらのいずれかの化合物を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、
前記基板の主面の上に設けられ、六員環ネットワーク構造を有する炭素材料からなるチャネル層と、
前記チャネル層の上に設けられ、強磁性体を含む第1の層を有する第1電極と、
前記チャネル層の上において、前記第1電極と離間して設けられ、強磁性体を含む第2の層を有する第2電極と、
前記チャネル層の上において、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられたゲート電極と、
前記チャネル層と前記第1電極との間に設けられた第1挿入層と、
前記チャネル層と前記第2電極との間に設けられた第2挿入層と、
を備え、
前記第1挿入層及び前記第2挿入層は、
Pを含むGe、Bを含むGe、Pd、Co、及びRhよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む、
または、Li、Na、Caよりなる群から選択されたいずれか1つ、または、Li、Na、Caよりなる群から選択されたいずれかを含む化合物を含むことを特徴とするスピントランジスタ。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (13)：
5F092AA02
, 5F092AB10
, 5F092AC24
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BD04
, 5F092BD05
, 5F092BD13
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BD16
, 5F092BD19
, 5F092BD20
Cited by examiner (7)
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