不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008180944
Publication number (International publication number)：2010021381
Application date： Jul. 11, 2008
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：

【課題】低電圧かつ高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性を有する不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置の提供。【解決手段】第1電極103と、第2電極108との間に介在され、両電極103,108間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層107とを備え、この抵抗変化層107は、ZrOx(但し、0.9≦x≦1.4)で表される組成を有する第1のジルコニウム酸化物層と、ZrOy(但し、1.9<y<2.0)で表される組成を有する第2のジルコニウム酸化物層とが積層された積層構造を少なくとも有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在され、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、前記第1電極と前記第2電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて、前記第1電極と前記第2電極間の抵抗値が可逆的に変化する不揮発性記憶素子において、前記抵抗変化層は、ZrOx(但し、0.9≦x≦1.4)で表される組成を有する導電性の第1の酸素不足型のジルコニウム酸化物層と、ZrOy(但し、1.9<y<2.0)で表される組成を有する導電性の第2の酸素不足型のジルコニウム酸化物層とが積層された積層構造を少なくとも有している、不揮発性記憶素子。

IPC (2)：

H01L 27/10 , G11C 13/00

FI (2)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A

F-Term (16)：

5F083FZ10 , 5F083GA10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA20 , 5F083PR22 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-214603 Applicant：ソニー株式会社
非対称結晶構造メモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-132264 Applicant：シャープ株式会社
米国特許第6473332号明細書

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