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J-GLOBAL ID:201003048464312268

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009185959
Publication number (International publication number):2010134418
Application date: Aug. 10, 2009
Publication date: Jun. 17, 2010
Summary:
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、側鎖に、環骨格中に-SO2-を含む環式基を2価の連結基で結合した(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a0)およびラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有し、かつその構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
Claim (excerpt):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)およびラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有し、かつその構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/10 ,  H01L21/30 502R
F-Term (47):
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF33P ,  2H125AF38P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ55X ,  2H125AJ69X ,  2H125AL11 ,  2H125AN02P ,  2H125AN21P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15T ,  4J100BC03R ,  4J100BC03S ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC09T ,  4J100BC53P ,  4J100BC84Q ,  4J100CA03 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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