Pat
J-GLOBAL ID：201003048537903740

加速度センサー

Inventor：
濱口 康博

About 濱口 康博

, 
斎藤 正勝

About 斎藤 正勝

, 
風間 敦

About 風間 敦


Applicant, Patent owner：
トレックス・セミコンダクター株式会社

About トレックス・セミコンダクター株式会社


Agent (2)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009030161
Publication number (International publication number)：2010185781
Application date： Feb. 12, 2009
Publication date： Aug. 26, 2010
Summary：
【課題】 小型化に適した電気的および機械的に安定なピエゾ抵抗素子型加速度センサーを提供する。【解決手段】 枠部と、可撓部と、該可撓部を介して枠部に保持される錘部と、可撓部に設けられたピエゾ抵抗素子と枠部に設けられたチップ端子とを接続する金属配線および高濃度拡散層を構成要素に持ち、直交する3つの加速度検出軸毎に前記ピエゾ抵抗素子と金属配線と高濃度拡散層で構成されるブリッジ回路を有する加速度センサー素子を有するピエゾ抵抗素子型3軸加速度センサーあって、ピエゾ抵抗素子上に第2の絶縁膜を介してシールド配線が配置されており、該シールド配線は前記金属配線の一部としてブリッジ回路の一部を構成している。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
枠部と、可撓部と、前記可撓部を介して枠部に保持される錘部を有し、 可撓部に設けられたピエゾ抵抗素子と枠部に設けられたチップ端子の接続に用いる金属 配線および高濃度拡散層を有し、 直交する3つの加速度検出軸毎に、前記ピエゾ抵抗素子と金属配線と高濃度拡散層で構 成されるブリッジ回路を有する加速度センサーあって、 ピエゾ抵抗素子上に絶縁膜を介してシールド配線が配置されており、前記シールド配線 は前記金属配線の一部としてブリッジ回路の一部を構成していることを特徴とする加速度 センサー。
IPC (3)：
G01P 15/12 ,  G01P 15/18 ,  H01L 29/84
FI (3)：
G01P15/12 D ,  G01P15/00 K ,  H01L29/84 A
F-Term (18)：
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA27 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM