酸化物透明導電膜、およびそれを用いた光電変換素子、光検出素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2008059416
Publication number (International publication number)：WO2008146693
Application date： May. 22, 2008
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：

可視及び近赤外域での透過性に優れた低抵抗な酸化物透明導電膜を200°C以下の低温プロセスで提供する。また、本発明の酸化物透明導電膜を光電変換素子の透明電極として用いることにより、従来では不可能であった近赤外域の分光感度の高い高効率太陽電池、あるいは微弱な近赤外線を検出できる高性能光検出素子を実現する。酸化物透明導電膜は、水素原子を含有し、水素原子含有量を1%以上10%以下、ホール効果測定による電子の移動度を40cm2/Vs以上、キャリア濃度を5x1020cm-3以下、比抵抗を1x10-3Ωcm以下の諸条件を適宜組み合わせて製造した酸化物導電膜から構成する。また、この酸化物導電膜をアニールにより固相成長させる。

Claim (excerpt)：

水素原子を含有する酸化物導電膜の水素原子含有量を1%以上10%以下の範囲内の任意の値としたことを特徴とする酸化物透明導電膜。

IPC (4)：

H01B 5/14 , C23C 14/08 , C23C 14/58 , H01L 31/04

FI (5)：

H01B5/14 A , C23C14/08 D , C23C14/58 A , H01L31/04 Q , H01L31/04 M

F-Term (27)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA45 , 4K029BB08 , 4K029BB10 , 4K029BC09 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029GA01 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051AA10 , 5F051BA16 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA15 , 5F051DA04 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA14 , 5F051GA04 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特許第3133449号公報
透明導電膜及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-200637 Applicant：株式会社日立製作所
インジウムスズ酸化膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-199289 Applicant：三洋電機株式会社

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