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J-GLOBAL ID：201003052332406953

サブリソグラフィックパターニングのためにブロック共重合体自己集合を使用する方法

Inventor：
ミルウォード,ダン ビー.

About ミルウォード,ダン ビー.


Applicant, Patent owner：
マイクロン テクノロジー, インク.

About マイクロン テクノロジー, インク.


Agent (2)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009549163
Publication number (International publication number)：2010522643
Application date： Jan. 25, 2008
Publication date： Jul. 08, 2010
Summary：
ブロック共重合体は自己集合し、例えば本明細書に記載のサブリソグラフィックパターニングのための方法で使用され得る。ブロック共重合体は、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体、マルチブロック共重合体、もしくはそれらの組み合わせであってよい。そのような方法は、例えばサブリソグラフィック導電性ラインを含むデバイスの作成に有用であり得る。
Claim (excerpt)：
Loの固有周期を持つブロック共重合体を提供するステップと、 複数の自己集合共重合体画定トレンチを含む基板を提供し、前記複数のトレンチの各トレンチはnLoの幅を持ち、nは1から15である、ステップと、 前記ブロック共重合体を前記基板表面上に堆積するステップと、 前記ブロック共重合体を自己集合させるために前記ブロック共重合体をアニールするステップと、 を含む、基板のサブリソグラフィックパターニングのための方法。
IPC (9)：
B82B 3/00 ,  G03F 7/38 ,  C08J 5/00 ,  B32B 3/14 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/027
FI (10)：
B82B3/00 ,  G03F7/38 501 ,  C08J5/00 ,  B32B3/14 ,  G03F7/075 511 ,  G03F7/033 ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/88 B ,  H01L21/30 502D ,  H01L21/30 502R
F-Term (56)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096DA01 ,  2H096EA06 ,  2H096GA01 ,  2H096JA02 ,  2H125AE02P ,  2H125AE11P ,  2H125AF13P ,  2H125AF35P ,  2H125CA12 ,  2H125CB02 ,  2H125CC01 ,  2H125CC11 ,  4F071AA12X ,  4F071AA22 ,  4F071AA22X ,  4F071AA33 ,  4F071AA33X ,  4F071AA39X ,  4F071AA47X ,  4F071AA67 ,  4F071AA75X ,  4F071AB06 ,  4F071AG14 ,  4F071AG15 ,  4F071AG28 ,  4F071AG34 ,  4F071AG35 ,  4F071AH13 ,  4F100AK12B ,  4F100AK12C ,  4F100AK25B ,  4F100AK25C ,  4F100AK28C ,  4F100AK52B ,  4F100AK54C ,  4F100AK73C ,  4F100AL02C ,  4F100AL03B ,  4F100AT00A ,  4F100BA03C ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EJ05C ,  4F100EJ15C ,  4F100EJ42C ,  4F100GB41 ,  4F100GB43 ,  4F100JL03 ,  5F033PP07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ26 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F046AA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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