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J-GLOBAL ID:201003053201344142
高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
磯野 道造
, 多田 悦夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008325407
Publication number (International publication number):2010144120
Application date: Dec. 22, 2008
Publication date: Jul. 01, 2010
Summary:
【課題】発明の課題は、長距離秩序性に優れ、欠陥の少ないミクロ相分離構造からなる微細構造を有する高分子薄膜の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、ブロック共重合体組成物が、少なくともブロック鎖A1とブロック鎖A2とからなるブロック共重合体Aを主成分とし、ブロック鎖A1を主成分とする高分子相P1に相溶するブロック鎖B1と、ブロック鎖A2を主成分とする高分子相P2に相溶するブロック鎖B2とを有するブロック共重合体Bを副成分として配合されてなり、このブロック共重合体組成物が付与される基板表面は、第1の素材106からなる表面に第2の素材107からなるパターン部材が離散的に配置される微細構造を有する高分子薄膜の製造方法である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
高分子ブロック共重合体組成物を含む高分子層を基板表面に配置する第1工程と、
前記高分子層をミクロ相分離させ、連続相中に規則的に配列したミクロドメインを形成する第2工程と、
を含む微細構造を有する高分子薄膜の製造方法において、
前記高分子ブロック共重合体組成物は、少なくとも高分子ブロック鎖A1と高分子ブロック鎖A2とからなる高分子ブロック共重合体Aを主成分とし、
前記高分子ブロック鎖A1を主成分とする高分子相P1に相溶する高分子ブロック鎖B1と、前記高分子ブロック鎖A2を主成分とする高分子相P2に相溶する高分子ブロック鎖B2とを有する高分子ブロック共重合体Bを副成分として配合されてなり、
前記高分子ブロック鎖A1の分子量Mn(A1)、前記高分子ブロック鎖A2の分子量Mn(A2)、及び前記高分子ブロック鎖の分子量Mn(B2)が、下記の関係式(1)を満足し、
前記基板表面は、第1の素材からなる表面に第2の素材からなるパターン部材が離散的に配置されてなり、
前記第2工程では、前記第1の素材からなる表面に対する高分子相P1の界面張力が、前記第2の素材からなる表面との界面張力よりも小さく、前記第1の素材からなる表面に対する高分子相P2の界面張力が、前記第2の素材からなる表面との界面張力よりも大きいことを特徴とする微細構造を有する高分子薄膜の製造方法。
関係式(1)・・・Mn(A2)>Mn(A1)かつMn(B2)>Mn(A2)
IPC (5):
C08J 5/18
, C08L 53/00
, B29C 59/02
, G11B 5/65
, G11B 5/84
FI (5):
C08J5/18
, C08L53/00
, B29C59/02 B
, G11B5/65
, G11B5/84 Z
F-Term (27):
4F071AA22X
, 4F071AA33X
, 4F071AA75
, 4F071AF53
, 4F071AG28
, 4F071AH12
, 4F071AH14
, 4F071BB02
, 4F071BC01
, 4F071BC07
, 4F071BC12
, 4F209AJ03
, 4F209AJ08
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN06
, 4F209PQ11
, 4J002BP011
, 4J002BP012
, 4J002BP031
, 4J002BP032
, 4J002GS00
, 5D006BB07
, 5D006DA04
, 5D112AA05
, 5D112AA17
, 5D112GA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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米国特許6746852号明細書
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米国特許6926953号明細書
Cited by examiner (4)