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J-GLOBAL ID:201003062083196590
光起電力発生装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
五十嵐 省三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008266124
Publication number (International publication number):2010098033
Application date: Oct. 15, 2008
Publication date: Apr. 30, 2010
Summary:
【課題】多接合型光起電力発生装置においては、積層数が増加するので、光の結合損失からエネルギー変換効率が小さく、製造コストが高く、かつ製造が困難であった。【解決手段】サファイア基板1上に横方向に異なるバンドギャップを有する複数のセル2-1、2-2、...、2-7が形成される。各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するn型GaN層21、n型GaNバッファ層21上に形成されたn型InAlGaN層22及びp型InAlGaN層23よりなる。InAlGaN層22、23の組成はその傾斜角に応じたバンドギャップを有するように決定される。各セル2-1、2-2、...、2-7は出力端子OUT1、OUT2間にボンディングワイヤ3-0、3-1、...、3-7によって直列に接続されて太陽電池として作用する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板と、
該基板上に横方向に形成された異なるバンドギャップを有する複数のpn接合素子あるいはpin接合素子と
を具備する光起電力発生装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L31/04 E
, H01L31/08 K
F-Term (32):
5F051AA08
, 5F051CB12
, 5F051DA03
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051EA02
, 5F051EA20
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5F088AA02
, 5F088AA03
, 5F088AB07
, 5F088BA18
, 5F088BB06
, 5F088CB04
, 5F088DA01
, 5F088EA03
, 5F088EA14
, 5F088FA03
, 5F088FA04
, 5F088GA02
, 5F151AA08
, 5F151CB12
, 5F151DA03
, 5F151DA04
, 5F151DA20
, 5F151EA02
, 5F151EA20
, 5F151FA03
, 5F151FA04
, 5F151GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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多接合太陽電池およびその電流整合方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-085379
Applicant:シャープ株式会社
-
多接合型太陽電池およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-115360
Applicant:シャープ株式会社
-
化合物太陽電池およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-123328
Applicant:シャープ株式会社
-
多接合太陽電池における変成層
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-041930
Applicant:エムコア・コーポレイション
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Cited by examiner (5)
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特開昭51-048985
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特開昭56-080177
-
特開昭58-077262
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太陽光発電方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-172649
Applicant:三原俊朗
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窒化物半導体基板及びそれを用いた素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-080286
Applicant:日亜化学工業株式会社
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