Pat
J-GLOBAL ID：201003062691007369

半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置

Inventor：
赤江 尚徳

About 赤江 尚徳

, 
▲ひろせ▼ 義朗

About ▲ひろせ▼ 義朗


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (4)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010185811
Publication number (International publication number)：2010268007
Application date： Aug. 23, 2010
Publication date： Nov. 25, 2010
Summary：
【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。 【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、 前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、 前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、 前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層上に形成された所定元素含有層および前記窒化層を、酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、 を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/452
FI (7)：
H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  H01L21/31 C ,  H01L21/31 B ,  C23C16/452
F-Term (61)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB07 ,  5F045CA05 ,  5F045DC51 ,  5F045DC61 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EF13 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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