光合成基板、その製造方法、光合成反応法および光合成装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (4)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009029100
Publication number (International publication number)：2010063453
Application date： Feb. 10, 2009
Publication date： Mar. 25, 2010
Summary：

【課題】高い反応効率の光反応を可能とし得る光合成基板、その製造方法、高い反応効率の光反応を可能とし得る光合成反応法、また高い反応効率の光反応を可能とし得る光合成装置を提供する。【解決手段】基材の少なくとも表面に電子伝達体、光増感色素分子および酵素を固定してなる光合成基板、光合成基板の製造方法、反応原料溶液を前記の光合成基板に接触させる光合成反応法、および反応原料溶液が流れる流路内面を前記の光合成基板として使用してなる光合成装置。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基材の少なくとも表面に電子伝達体、光増感色素分子および酵素を固定してなる光合成基板。

IPC (1)：

C12M 1/40

FI (1)：

C12M1/40 A

F-Term (2)：

4B029AA21 , 4B029BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

人工タンパク質複合体及びその利用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-255526 Applicant：国立大学法人名古屋工業大学
補酵素再生用修飾電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-335505 Applicant：第一工業製薬株式会社
単分子膜の製造方法及び単分子累積膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-052446 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (7)

人工タンパク質複合体及びその利用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-255526 Applicant：国立大学法人名古屋工業大学
補酵素再生用修飾電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-335505 Applicant：第一工業製薬株式会社
単分子膜の製造方法及び単分子累積膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-052446 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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