窒化物系半導体基板及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009281195
Publication number (International publication number)：2010111576
Application date： Dec. 11, 2009
Publication date： May. 20, 2010
Summary：

【課題】充分な導電性を確保しつつ、高い熱伝導率と高い電子移動度を有する窒化物系半導体基板及び半導体装置を提供する。【解決手段】直径25mm以上、かつ厚さ250μm以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、n型のキャリア濃度n[cm-3]が1.2×1018cm-3以上3×1019cm-3以下であり、かつ電子移動度μ[cm2/Vs]が、logeμ=17.7-0.288logenで表される値よりも大きく、かつlogeμ=18.5-0.288logenで表される値よりも小さい窒化物系半導体基板。また、その窒化物系半導体基板の上に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させて半導体装置とする。【選択図】図14

Claim (excerpt)：

直径25mm以上、かつ厚さ250μm以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、n型のキャリア濃度n[cm-3]が1.2×1018cm-3以上3×1019cm-3以下であり、かつ電子移動度μ[cm2/Vs]が、 logeμ=17.7-0.288logen で表される値よりも大きく、かつ logeμ=18.5-0.288logen で表される値よりも小さいことを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (4)：

C30B 29/38 , C23C 16/34 , H01L 33/32 , H01L 21/205

FI (4)：

C30B29/38 D , C23C16/34 , H01L33/00 186 , H01L21/205

F-Term (46)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB11 , 4G077EB06 , 4G077EF02 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077FJ06 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB04 , 4G077TC12 , 4G077TH01 , 4G077TJ06 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030KA49 , 4K030LA14 , 4K030LA18 , 5F041AA21 , 5F041AA33 , 5F041CA04 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF11 , 5F045AF16 , 5F045CA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

GaN単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-171276 Applicant：住友電気工業株式会社
半絶縁性GaNおよびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-518986 Applicant：クリーインコーポレイテッド
自立基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-166463 Applicant：株式会社フジクラ

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Preparation of freestanding GaN wafers by hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation

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