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J-GLOBAL ID：201003078423947239

プロービング装置

Inventor：
▲高▼岡 哲也

About ▲高▼岡 哲也

, 
小清水 秀世

About 小清水 秀世


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社

, 
三洋半導体株式会社

About 三洋半導体株式会社


Agent (1)： ▲角▼谷 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008203282
Publication number (International publication number)：2010040856
Application date： Aug. 06, 2008
Publication date： Feb. 18, 2010
Summary：
【課題】半導体ウエハの製造工程でプロービング装置によってウエハの電気的特性を測定(プロービング検査)する場合、半導体ウエハを載置するプロービングステージは平板状である。このため、半導体チップが配列する素子形成部のみが薄化され周辺部に初期の厚みが残った凹型形状の半導体ウエハについては、従来のプロービングステージに載置することができず、プロービング検査ができない問題があった。【解決手段】一般的な平板状のプロービングステージ(第1のプロービングステージ)上に、第1搭載部と第1搭載部より突出した第2搭載部からなる凸型形状のプロービングステージ(第2のプロービングステージ)を配置する。これにより、凹型形状のウエハを凸型形状のプロービングステージとかみ合わせるように搭載できる。従って、素子形成部のみ薄化した半導体ウエハであっても十分に支持固定することができ、プロービング検査を行うことができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
一主面に複数の半導体チップが配列する素子形成部と該素子形成部の外周を囲み該素子形成部より厚い周辺部とを有する半導体ウエハの電気的特性を測定するプロービング装置であって、 中心付近と周辺付近の厚みが略均一な第1のプロービングステージと、 該第1のプロービングステージ上に配置され、前記周辺部が載置される第1搭載部と、該第1搭載部の内側で該第1搭載部より突出し前記素子形成部が載置される第2搭載部とを有する第2のプロービングステージと、 前記半導体ウエハの電極に接触するプローブ針と、 前記第2のプロービングステージおよび/または前記プローブ針の移動を制御する制御部と、を具備することを特徴とするプロービング装置。
IPC (1)：
H01L 21/66
FI (2)：
H01L21/66 D ,  H01L21/66 B
F-Term (6)：
4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ32
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
  • プローバ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-112503   Applicant：株式会社日本マイクロニクス
  • ウェーハの加工方法及びウェーハ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-069118   Applicant：株式会社ディスコ
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-306621   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
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