ウェーハの加工方法及びウェーハ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：佐々木功 , 川村恭子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006069118
Publication number (International publication number)：2007019461
Application date： Mar. 14, 2006
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：

【課題】研削により薄くなったウェーハを安定的に支持し、その後の加工時の取り扱いを容易とする。【解決手段】複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハWを加工するにあたり、ウェーハWの裏面Wbのうちデバイス領域に相当する領域に凹部W3を形成し、凹部W3の外周側に外周余剰領域を含むリング状補強部W4を残存させる。リング状補強部W4によってデバイス領域の外周側が補強されているため、その後のウェーハの取り扱いが容易となる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの裏面のうち該デバイス領域に相当する領域に凹部を形成し、該凹部の外周側に該外周余剰領域を含むリング状補強部を形成するウェーハの加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 , H01L 21/301 , H01L 21/02

FI (3)：

H01L21/304 631 , H01L21/78 M , H01L21/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

チャックテーブル及び半導体ウェーハの研削方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-114154 Applicant：株式会社ディスコ

Cited by examiner (14)

半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-140475 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
洗浄装置および研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-160670 Applicant：株式会社ディスコ
半導体装置の加工方法および半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-068808 Applicant：株式会社東芝

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