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J-GLOBAL ID：201003079636363032

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
熊田 輝彦

About 熊田 輝彦

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信時 英治

About 信時 英治

, 
保田 直紀

About 保田 直紀

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後藤 欣哉

About 後藤 欣哉

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松浦 正純

About 松浦 正純


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010062635
Publication number (International publication number)：2010141361
Application date： Mar. 18, 2010
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：
【課題】ボラジン系化合物の絶縁膜を用いて、絶縁材料と配線材料との間の密着性や、機械強度等の特性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】凹部に第1の導体層が埋め込まれた第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に形成されたエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された第2の絶縁層と、第2の絶縁層上に形成された第3の絶縁層と、第2の絶縁層と第3の絶縁層との凹部に埋め込まれた第2の導体層と、を含む半導体装置であって、第2の絶縁層および第3の絶縁層は、炭素含有ボラジン化合物を原料として化学的気相反応成長法によって形成され、第3の絶縁層の炭素含有率が、第2の絶縁層の炭素含有率よりも小さく、第2の導体層の外周に、金属材料で構成された導体拡散防止層が形成されている半導体装置である。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
凹部に第1の導体層が埋め込まれた第1の絶縁層と、該第1の絶縁層上に形成されたエッチングストッパー層と、該エッチングストッパー層上に形成された第2の絶縁層と、該第2の絶縁層上に形成された第3の絶縁層と、該第2の絶縁層と該第3の絶縁層との凹部に埋め込まれた第2の導体層と、を含む半導体装置であって、 前記第2の絶縁層および第3の絶縁層は、炭素含有ボラジン化合物を原料として化学的気相反応成長法によって形成され、 前記第3の絶縁層の炭素含有率が、前記第2の絶縁層の炭素含有率よりも小さく、 前記第2の導体層の外周に、金属材料で構成された導体拡散防止層が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/312
FI (3)：
H01L21/90 K ,  H01L21/90 A ,  H01L21/312 A
F-Term (45)：
5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR20 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS14 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033XX12 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AA08 ,  5F058AB06 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058AH05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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