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J-GLOBAL ID：201003080700602800

ウエーハ欠陥検査装置

Inventor：
中村 学

About 中村 学


Applicant, Patent owner：
日本エレクトロセンサリデバイス株式会社

About 日本エレクトロセンサリデバイス株式会社


Agent (3)： 後藤 政喜 ,  藤井 正弘 ,  飯田 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008192829
Publication number (International publication number)：2010008392
Application date： Jun. 27, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：
【課題】 撮像手段として一般的に使用されるエリアセンサカメラでは、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、検査時間が長くなり検査工程の高速化に対応することができないという問題がある。また、赤外光光源を用いて検査対象の低抵抗ウエーハを照明した場合、ウエーハの比抵抗を考慮して赤外光照明を選択する必要があり、その設定に時間を要するという問題がある。【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現する。また、ウエーハの比抵抗の値を取得する手段を設けることにより、取得した比抵抗の値に応じた照明手段の照度に設定することにより欠陥の撮像に適切な照明を得ることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、 前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備える撮像手段と、 前記撮像手段の画像から前記シリコンウエーハの表面あるいは内部にある欠陥を検出する画像処理装置と から構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、 前記赤外光照明手段は前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節することを特徴とするウエーハ欠陥検査装置。
IPC (2)：
G01N 21/956 ,  H01L 21/66
FI (3)：
G01N21/956 A ,  H01L21/66 J ,  H01L21/66 N
F-Term (21)：
2G051AA51 ,  2G051AB03 ,  2G051AB04 ,  2G051AB06 ,  2G051BA06 ,  2G051BB01 ,  2G051CA04 ,  2G051CA07 ,  2G051CB02 ,  2G051EA16 ,  2G051EB01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA10 ,  4M106CA45 ,  4M106CA46 ,  4M106CB19 ,  4M106DB08 ,  4M106DB19 ,  4M106DB20 ,  4M106DJ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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