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J-GLOBAL ID：201003089612693339

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor： 梅澤 好太 ,  柴田 哲弥
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008169709
Publication number (International publication number)：2010010497
Application date： Jun. 29, 2008
Publication date： Jan. 14, 2010
Summary：

【課題】膜中の窒素濃度を安定化して再現性を向上させることができ、しかも膜厚の面内均一性を向上させることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内で被処理体の表面にシリコン含有膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、処理容器内へシリコン系ガスを供給してシラン系ガスを前記被処理体の表面に吸着させる吸着工程と、被処理体の表面に吸着したシラン系ガスを窒化ガス又は活性化された窒化ガスを用いて窒化してシリコン窒化膜を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜の一部又は全部を活性化された酸素を用いて酸化する酸化工程とを有する。これにより、例えばシリコン酸窒化膜等のシリコン含有膜を成膜するに際して、直前に行ったシリコン含有膜の成膜処理に対する依存性をなくして膜中の窒素濃度を安定化させ、再現性を向上させる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面にシリコン含有膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、 前記処理容器内へシリコン系ガスを供給して前記シラン系ガスを前記被処理体の表面に吸着させる吸着工程と、 前記被処理体の表面に吸着したシラン系ガスを窒化ガス又は活性化された窒化ガスを用いて窒化してシリコン窒化膜を形成する窒化工程と、 前記シリコン窒化膜の一部又は全部を活性化された酸素を用いて酸化する酸化工程と、 を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/42

FI (7)：

H01L21/318 C ,  H01L21/31 C ,  H01L21/31 B ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 M ,  H01L21/316 C ,  C23C16/42

F-Term (75)：

4K030AA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF03 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F045HA22 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BF73 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ビス(t-ブチルアミノ)シランからの窒化珪素の化学気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-281036   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-073145   Applicant：株式会社日立国際電気
• シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-197283   Applicant：東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法および基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-283971   Applicant：株式会社日立国際電気
• 酸化シリコン及び酸窒化シリコンの低温堆積
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-529164   Applicant：アヴィザテクノロジーインコーポレイテッド, インテグレイテッドプロセスシステムズリミテッド