応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 小林良博 , 蛯谷厚志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009259203
Publication number (International publication number)：2010118664
Application date： Nov. 12, 2009
Publication date： May. 27, 2010
Summary：

【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長(PECVD)窒化シリコン(SiN)及び炭窒化シリコン(SiCN)薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式:[RR1N]xSiR3y(R2)z{式中、x+y+z=4、x=1〜3、y=0〜2、及びz=1〜3であり;R、R1、及びR3が、水素、C1〜C10アルカン、アルケン、C4〜C12芳香族であり得;各R2が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。}から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体から膜を堆積するステップを含む、窒化シリコン(SiN)及び炭窒化シリコン(SiCN)薄膜のプラズマ化学気相成長(PECVD)における内部圧縮応力の増強方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L21/318 B , H01L21/205

F-Term (22)：

5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AB33 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045CA05 , 5F045DA69 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BG03 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-115409 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
炭化窒化珪素膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-122536 Applicant：三井化学株式会社
シリコン窒化膜の製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-309694 Applicant：株式会社シー・ヴイ・リサーチ

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Cited by examiner (5)

有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-115409 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
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