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J-GLOBAL ID：200903005321135746

炭化窒化珪素膜の形成方法

Inventor：
倉沢 辰博

About 倉沢 辰博


Applicant, Patent owner：
三井化学株式会社

About 三井化学株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004122536
Publication number (International publication number)：2005310861
Application date： Apr. 19, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【解決課題】 炭化窒化珪素膜を形成する新規な方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも珪素、炭素、窒素原子を含むガスを温度が400°Cを超える加熱体に接触させて該ガスの少なくとも一部を反応または分解し、該加熱体よりも低温に保持された基材上に膜を形成することを特徴とする炭化窒化珪素膜の形成方法、好ましくは少なくとも珪素、炭素、窒素原子を含むガスが水素原子を含み、該炭化窒化珪素膜が水素を含むものである炭化窒化珪素膜の形成方法、及び該方法により形成された炭化窒化珪素膜、並びに該炭化窒化珪素膜を銅拡散バリア膜に用いた銅配線構造。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
少なくとも珪素、炭素、窒素原子を含むガスを温度が400°Cを超える加熱体に接触させて該ガスの少なくとも一部を反応または分解し、該加熱体よりも低温に保持された基材上に膜を形成することを特徴とする炭化窒化珪素膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/768
FI (3)：
H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  H01L21/90 K
F-Term (34)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030LA15 ,  5F033GG01 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033RR05 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033XX28 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • EP0540084A号公報
  • 無定形SiNC被膜を蒸着する方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-287998   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
  • 特開昭63-40314号公報
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Cited by examiner (9)
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