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J-GLOBAL ID:201003090839830594
光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
原田 洋平
, 森本 義弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009083824
Publication number (International publication number):2010238833
Application date: Mar. 31, 2009
Publication date: Oct. 21, 2010
Summary:
【課題】樹脂に形成される気泡や未充填部分の発生を抑制し、小型化,薄型化された光半導体装置であっても、樹脂の形成精度を向上することを目的とする。【解決手段】リードフレーム2裏面のハーフエッチ領域8に形成される貫通穴9とハーフエッチ領域間を接続する溝10を備えることにより、小型化,薄型化された光半導体装置であっても、樹脂の形成精度を向上することができる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
ダイパッドおよび外部端子を備えるリードフレームと、
前記リードフレームの前記ダイパッドが形成される面に対する裏面に前記リードフレームの厚みを薄くして形成される複数のハーフエッチ領域と、
前記リードフレームに前記ダイパッドが形成される面から前記裏面まで貫通して形成される樹脂供給用の複数の穴と、
前記ハーフエッチ領域に前記ダイパッドが形成される面まで貫通して形成される1または複数の貫通穴と、
前記ハーフエッチ領域間に形成される1または複数の溝と、
前記ダイパッドの周囲と前記ハーフエッチ領域中に形成される樹脂と
を有することを特徴とする光半導体装置用パッケージ。
IPC (3):
H01L 31/02
, H01L 33/56
, H01L 27/14
FI (3):
H01L31/02 B
, H01L33/00 424
, H01L27/14 D
F-Term (9):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118HA14
, 4M118HA17
, 4M118HA24
, 4M118HA30
, 5F041DA19
, 5F041DA74
, 5F088JA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
樹脂封止型半導体装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-308571
Applicant:NECエレクトロニクス株式会社
Cited by examiner (4)
-
発光ダイオード装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-323291
Applicant:株式会社アキタ電子システムズ
-
発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-187376
Applicant:宏齊科技股ふん有限公司
-
発光ダイオード及びそのパッケージ構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-129635
Applicant:株式会社シチズン電子, 河口湖精密株式会社
-
発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-322737
Applicant:ソウルセミコンダクターカンパニーリミテッド
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