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J-GLOBAL ID:200903069591370559

樹脂封止型半導体装置とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 徳丸 達雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003308571
Publication number (International publication number):2005079372
Application date: Sep. 01, 2003
Publication date: Mar. 24, 2005
Summary:
【課題】リードレス構造の樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装する場合に、半導体装置の電極部分に十分なハンダフィレットを形成することができ、又その実装状態を目視で容易に確認できる半導体装置を製造工程の少ない製造方法で製造できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】アイランド部から延在する電極部材と、半導体チップ上の電極と接続された電極部材とが樹脂封止され、電極部材の下面及び側面の一部が樹脂から露出するリードレス構造の樹脂封止型の半導体装置において、これらの露出した電極部材の角部に凹部を設けるもので、リードフレームに設けられた溝を封入金型の一面で閉じた空間に樹脂が入らないように半導体チップを樹脂封入し、この溝を切断して溝内壁を樹脂から露出させる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
半導体チップと、前記半導体チップを搭載するアイランド部と、前記アイランド部から延在する第1の電極部材と、前記半導体チップ上の電極と金属細線によって接続された第2の電極部材とが、樹脂により封止され、前記第1の電極部材及び第2の電極部材の各々の下面及び側面の一部が前記樹脂から露出する半導体装置であって、前記各々の下面と側面部分からなる角部に前記各々の下面と側面部分に平行な面を有する凹部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2):
H01L23/12 ,  H01L23/50
FI (2):
H01L23/12 L ,  H01L23/50 R
F-Term (3):
5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067DE01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (7)
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