シリコン発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008285545
Publication number (International publication number)：2010114262
Application date： Nov. 06, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Summary：

【課題】シリコンフォトニクスの光源に適用可能なシリコン発光素子を提供する。【解決手段】第1の面と該第1の面の反対側にある第2の面とを有する第1導電型のシリコン基板と、シリコン基板の第1の面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ第1導電型と異なる第2導電型のシリコン層と、シリコン層上に設けられた第1の電極と、シリコン基板の第2の面上に設けられた第2の電極と、を備え、シリコン基板のキャリア濃度は、5×1015cm-3〜5×1018cm-3であり、シリコン層のキャリア濃度は、1×1017cm-3〜5×1019cm-3であり、且つ、シリコン基板のキャリア濃度より一桁以上大きく、絶縁膜の膜厚は、0.3nm〜5nmである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の面と該第1の面の反対側にある第2の面とを有する第1導電型のシリコン基板と、前記シリコン基板の前記第1の面上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記第1導電型と異なる第2導電型のシリコン層と、前記シリコン層上に設けられた第1の電極と、前記シリコン基板の前記第2の面上に設けられた第2の電極と、を備え、前記シリコン基板のキャリア濃度は、5×1015cm-3〜5×1018cm-3であり、前記シリコン層のキャリア濃度は、1×1017cm-3〜5×1019cm-3であり、且つ、前記シリコン基板のキャリア濃度より一桁以上大きく、前記絶縁膜の膜厚は、0.3nm〜5nmである、ことを特徴とするシリコン発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/32

FI (2)：

H01L33/00 A , H01S5/32

F-Term (9)：

5F041AA11 , 5F041CA33 , 5F041CA49 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F173AH40 , 5F173AH48 , 5F173AR02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

シリコン発光ダイオード、シリコン光トランジスタ、シリコンレーザー及びそれらの製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-120065 Applicant：株式会社日立製作所
シリコン発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-195844 Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (4)

シリコンと窒素を主成分とする発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-077188 Applicant：三菱マテリアル株式会社
特開昭62-202573
発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-125226 Applicant：国立大学法人熊本大学

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