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J-GLOBAL ID：201003099148967760

テラヘルツ波発生素子

Inventor： 片桐 崇史
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008261747
Publication number (International publication number)：2010093062
Application date： Oct. 08, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：

【課題】 発生されるテラヘルツ波の発生効率を向上させることのできるテラヘルツ波発生素子の提供。【解決手段】 まず、テラヘルツ波を発生させるための発生層11を備える。また、前記発生層11に入射する励起光と、該励起光が該発生層11に入射することにより発生したテラヘルツ波とを伝播させるための導波層12を備える。また、前記導波層12を伝播する励起光と、該導波層12を伝播するテラヘルツ波とを該導波層12に閉じ込めるための第1の閉じ込め層13を備える。そして、前記発生層11、前記導波層12、前記第1の閉じ込め層13の順に構成される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

テラヘルツ波を発生させるためのテラヘルツ波発生素子であって、 入射した励起光によりキャリアを発生させる発生層を備え、 前記発生層で反射した励起光を再び該発生層に入射するように構成されることを特徴とするテラヘルツ波発生素子。

IPC (1)：

H01S 1/02

FI (1)：

H01S1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• テラヘルツ波発生方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-261233   Applicant：理化学研究所
• テラヘルツ光源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-167280   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• テラヘルツ電磁波発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-017799   Applicant：積水化学工業株式会社
• テラヘルツ波発生装置及びテラヘルツ波発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-217050   Applicant：アイシン精機株式会社
• 電磁波発生素子、電磁波集積素子、及び電磁波検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-286728   Applicant：キヤノン株式会社