Art

J-GLOBAL ID：201102209544481980   Reference number：11A0467164

Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using Sr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉ and Sr _0.8Bi_2.2Ta₂O₉-BaZrO₃ for ferroelectric gates

強誘電体ゲートのためのSr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉およびSr_0.8Bi_2.2Ta₂O₉-BaZrO₃を用いた金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造の特性評価

Author (5)： BOZGEYIK M.S. (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SHINOZAKI K. (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  CROSS J.S. (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ISHIWARA H. (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  BOZGEYIK M.S. (Kahramanmaras Sutcu Imam Univ., Kahramanmaras, TUR)
Material： Microelectronic Engineering  (Microelectron Eng)
Volume： 87  Issue： 11  Page： 2173-2177  Publication year： 2010 
JST Material Number： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： 強誘電体 ,  ゲート ,  金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造 ,  特性評価