Art

J-GLOBAL ID：201102210847239705   Reference number：11A1378755

Effect of Additive-Free Plating and High Heating Rate Annealing on the Formation of Low Resistivity Fine Cu Wires

低抵抗微細Cuワイヤの形成に及ぼす添加物フリーめっき及び高加熱速度焼なましの効果

Author (4)： ONUKI Jin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  TAMAHASHI Kunihiro (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  NAMEKAWA Takashi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  SASAJIMA Yasushi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.)
Material： Materials Transactions  (Mater Trans)
Volume： 52  Issue： 9  Page： 1818-1823 (J-STAGE)  Publication year： 2011 
JST Material Number： G0668A  ISSN： 1345-9678  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Copper ,  *metal wire ,  fine line ,  *annealing (heat treatment) ,  heating velocity ,  *electrical resistivity ,  impurity ,  Hydrogen ,  copper plating ,  *Electroplating ,  particle size distribution ,  grain boundary energy
Semi thesaurus term： grain growth

JST classification (3)： Heat treatment technology  (WC03020T) ,  Electroplating  (WC08023B) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (21)：

• 1) K. Hinode, Y. Hanaoka, K. Takeda and S. Kondo: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L1097.
• 2) W. Steinhögl, G. Schindler, G. Steinlesberger and M. Engelhardt: Phys. Rev. B 66 (2002) 075414.
• 3) W. Wu, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2838.
• 4) The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2009 edition.
• 5) J. J. Plombon, E. Andideh, V. M. Dubin and J. Maiz: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 113124-1-3.

Terms in the title (8)： 低抵抗 ,  微細 ,  Cu ,  ワイヤ ,  添加物 ,  めっき ,  加熱速度 ,  焼なまし