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J-GLOBAL ID：201102217012768000   Reference number：11A1249945

Fundamental Study on Reaction Mechanisms in Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists by Using 61nm Free-Electron Laser

61nm自由電子レーザの使用による化学増幅極端紫外線レジストの反応機構に関する基本研究

Author (19)： OKAMOTO Kazumasa (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  OKAMOTO Kazumasa (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KOZAWA Takahiro (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KOZAWA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HATSUI Takaki (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  TAJIMA Yasuharu (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  TAJIMA Yasuharu (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  OIKAWA Keita (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN) ,  NAGASONO Mitsuru (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KAMESHIMA Takashi (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  TOGASHI Tadashi (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  TOGASHI Tadashi (JASRI, Hyogo, JPN) ,  TONO Kensuke (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  YABASHI Makina (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KIMURA Hiroaki (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  KIMURA Hiroaki (JASRI, Hyogo, JPN) ,  SENBA Yasunori (JASRI, Hyogo, JPN) ,  OHASHI Haruhiko (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  SUMIYOSHI Takashi (Hokkaido Univ., Hokkaido, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 7972  Issue： Pt.1  Page： 797217.1-797217.6  Publication year： 2011 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chemically amplified resist ,  *extreme ultraviolet ,  photolithography ,  vacuum ultraviolet radiation ,  *free electron laser ,  additive ,  dose rate ,  laser irradiation ,  reaction mechanism ,  EUV resist ,  acid generator

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Reaction of polymers in general  (CG03001G)

Terms in the title (6)： 自由電子レーザ ,  化学 ,  増幅 ,  極端紫外線 ,  レジスト ,  研究