Art

J-GLOBAL ID：201102232406623562   Reference number：11A0842274

Effect of the Purity of the Copper Sulfate on the Microstructure and Resistivity of Very Narrow Cu Wires

超微細Cu配線の微細構造と抵抗率に及ぼす硫酸銅純度の影響

Author (3)： TASHIRO SUGURU (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  KHOO Khyoupin (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  ONUKI JIN (茨城大学工学部マテリアル工学科)
Material： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
Volume： 75  Issue： 4  Page： 223-228 (J-STAGE)  Publication year： 2011 
JST Material Number： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Copper ,  high purity metal ,  wiring ,  electric material ,  VLSI ,  width ,  *metal structure (microstructure) ,  crystal grain size ,  grain size dependence ,  grain coarsening ,  *electrical property ,  electrical resistivity ,  Electroplating ,  plating bath ,  Copper Sulfate ,  particle size distribution ,  transmission electron microscope ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  concentration distribution ,  impurity ,  *organization ,  modification
Semi thesaurus term： copper interconnect ,  wiring material ,  Wire-Widening ,  microstructure ,  粒界散乱

JST classification (2)： Transformation structures,work structures  (WB01030N) ,  Electrical properties  (WB02010Y)

Reference (14)：

• 1) K. Hinode, Y. Hanaoka, K. Takeda and S. Kondo: Jpn. J. Appl. Phys., Part2 40(2001) L1097.
• 2) W. Steinhögl, G. Schindler, G. Steinlesberger and M. Engelhardt: Phys. Rev. B 66(2002) 075414.
• 3) W. Wu, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Appl. Phys. Lett. 84(2004) 2838.
• 4) The International Technology Roadmap for Semiconductors, (ITRS, 2005).
• 5) W. Wu, D. Ermur, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Microelectron. Eng. 76(2004) 190.

Terms in the title (6)： 超微細 ,  Cu配線 ,  微細構造 ,  抵抗率 ,  硫酸銅 ,  純度