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J-GLOBAL ID：201102253332626022   Reference number：11A0293571

宇宙・民生デュアルユースのLSI 宇宙・民生デュアルユースの半導体集積回路の開発-SOIデバイスの放射線耐性強化技術-

Author (6)： HIROSE KAZUYUKI (宇宙科学研) ,  SAITO HIROBUMI (宇宙科学研) ,  KOBAYASHI DAISUKE (宇宙科学研) ,  KURODA YOSHIKATSU (三菱重工 名古屋誘導推進システム製作所) ,  ISHII SHIGERU (三菱重工 名古屋誘導推進システム製作所) ,  TAKAHASHI DAISUKE (三菱重工 名古屋誘導推進システム製作所)
Material： 日本航空宇宙学会誌
Volume： 59  Issue： 684  Page： 8-14  Publication year： Jan. 05, 2011 
JST Material Number： F0230A  ISSN： 0021-4663  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *outer space ,  LSI ,  *semiconductor integrated circuit ,  *SOI structure ,  electronic circuit ,  soft error ,  SRAM ,  memory element ,  *radiation resistance(radiation effect) ,  ASIC ,  SEU ,  circuit simulation
Semi thesaurus term： civilian sector

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (27)：

• 1 Clark, L. T.: Microprocessors and SRAMs for Space: Basics, Radiation Effects and Design, IEEE NSREC Short Course, Section III, 2010.
• 2 廣瀬和之,三ツ石進,小林大輔:宇宙用半導体部品とその耐放射線化技術,電気学会誌, 129(2009), pp. 739-742.
• 3 Holmes-Siedle, A. and Adams, L.: Handbook of Radiation Effects, Second ed., Oxford University Press, Oxford, 2002.
• 4 Kobayashi, D., Aimi, M., Saito, H. and Hirose, K. :Ti me-Domain Component Analysis of Heavy-Ion Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs, IEEE Trans. Nucl. Sci., 53 (2006), pp. 3372-3378.
• 5 Yanagawa, Y., Hirose, K., Saito, H., Kobayashi, D., Fukuda, S., Ishii, S., Takahashi, D., Yamamoto, K. and Kuroda, Y.: Direct Measurement of SET Pulse Widths in 0.2-μm SOI Logic Cells Irradiated by Heavy Ions, IEEE Trans. Nucl. Sci., 53 (2006), pp. 3575-3578.

Terms in the title (8)： 宇宙 ,  デュアルユース ,  LSI ,  半導体集積回路 ,  開発 ,  SOI ,  放射線耐性 ,  強化