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J-GLOBAL ID：201103003047357406

表面欠陥検出方法およびその装置

Inventor： 中村 明子 ,  北島 正弘 ,  成島 哲也
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001385305
Publication number (International publication number)：2002286436
Patent number：3572358
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： Oct. 03, 2002
Claim (excerpt)：

【請求項1】試料の表面あるいは界面に生じる欠陥を検出する方法であって、試料と同じ材料のセンサー試料をプロセスチェンバー内に設置し、センサー試料の表面に粒子を照射するとともに、その裏面にはレーザー光を照射し、当該センサー試料の裏面にて反射するレーザー光の反射位置を検出して、粒子照射により生じるセンサー試料の歪みに従ったレーザー光の反射位置の変位を測定することで、表面欠陥数または界面欠陥数を検出することを特徴とする表面欠陥検出方法。

IPC (4)：

G01B 11/30 ,  G01B 11/16 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01B 11/30 A ,  G01B 11/30 H ,  G01B 11/16 Z ,  G01N 21/956 A ,  H01L 21/66 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-315260   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体装置の製造装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-372153   Applicant：松下電器産業株式会社
• 結晶欠陥評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-346054   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-319983   Applicant：株式会社日立製作所
• 応力測定装置および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281290   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (5)

• 半導体の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-315260   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体装置の製造装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-372153   Applicant：松下電器産業株式会社
• 結晶欠陥評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-346054   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-319983   Applicant：株式会社日立製作所
• 応力測定装置および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281290   Applicant：株式会社日立製作所