ダイヤモンド半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011084110
Publication number (International publication number)：2011225440
Application date： Apr. 05, 2011
Publication date： Nov. 10, 2011
Summary：

【課題】室温(300K)以上において正孔濃度が1.0×1015cm-3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が1.0×1021cm-3以下である実用的なp型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板1-1の上に形成された単結晶ダイヤモンド薄膜1-2の中には、二次元の正孔または電子チャンネル1-3が形成される。基板1-1の面方位と基板1-1の結晶軸「001」方向との成す角度をαs、ダイヤモンド薄膜1-2の面方位と単結晶ダイヤモンド薄膜1-2の結晶軸「001」方向との成す角度をαd、チャンネル1-3の面方位とダイヤモンド薄膜1-2の結晶軸「001」方向との成す角度をαcとする。単結晶ダイヤモンド薄膜1-2の表面上には、ソース電極1-4、ゲート電極1-5、ドレイン電極1-6が形成される。【選択図】図1B

Claim (excerpt)：

ドーパント元素としてAl、Be、Ca、Cd、Ga、In、Li、Mg及びZnのいずれかを含有することを特徴とするp型ダイヤモンド半導体。

IPC (8)：

C30B 29/04 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/16 , H01L 29/861 , H01L 21/331 , H01L 29/732 , H01L 21/205

FI (7)：

C30B29/04 R , H01L29/80 B , H01L29/16 , H01L29/91 F , H01L29/72 P , H01L29/80 L , H01L21/205

F-Term (68)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077EB01 , 4G077EC09 , 4G077ED06 , 4G077FD02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA06 , 4G077TK01 , 5F003AZ01 , 5F003BA92 , 5F003BE90 , 5F003BJ03 , 5F003BM01 , 5F003BP31 , 5F003BP41 , 5F003BP94 , 5F003BZ01 , 5F003BZ02 , 5F003BZ03 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045AD11 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045CA06 , 5F045DA63 , 5F045HA16 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GL04 , 5F102GR01 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102GS07 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GT04 , 5F102HC01 , 5F102HC16 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5F140AA05 , 5F140BA04 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BJ05 , 5F140BK29 , 5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

ダイヤモンドの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-076438 Applicant：ソニー株式会社
特開昭64-077000
ダイヤモンドのn型及びp型の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-306804 Applicant：住友電気工業株式会社

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