Pat
J-GLOBAL ID：201103013453388407
III族窒化物半導体レーザ素子、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、及びスクライブ溝の形成によるダメージを評価する方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010002223
Publication number (International publication number)：2011142223
Application date： Jan. 07, 2010
Publication date： Jul. 21, 2011
Summary：
【課題】六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器と該レーザ共振器のための素子端部にチップ幅を縮小可能な端部の構造とを有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】レーザ構造体13は、一方の割断面27において第1の面13aのエッジ13cの一部分に設けられた凹部28、30を有する。凹部28、30は、それぞれ、スクライブ溝に案内された割断により分離された半導体素子各々に残されたスクライブ跡を含む。凹部28は第1の面13aに位置する端部28bを有すると共に、凹部30は第1の面13aに位置する端部30bを有する。第1の凹部28の端部28bとレーザストライプとの第1の間隔W1は、第2の凹部30の端部30bとレーザストライプとの第2の間隔W2より小さい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極と
を備え、
前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、
前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、
前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、
前記レーザ構造体は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm-n面に交差する第1及び第2の割断面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、
前記レーザ構造体は、前記支持基体の前記半極性主面上において導波路軸の方向に延在するレーザストライプを含み、前記導波路軸は、前記第1及び第2の割断面の一方から他方に延在し、
前記レーザ構造体は、前記第1の割断面において前記第1の面の前記エッジの一部分に設けられた第1及び第2の凹部を有し、該第1及び第2の凹部は前記レーザ構造体の前記第1の面から延在し、該第1及び第2の凹部の底端は前記レーザ構造体の前記第2の面のエッジから隔置され、
前記第1の凹部は前記第1の面に設けられた端部を有すると共に、前記第2の凹部は前記第1の面に設けられた端部を有し、
前記レーザストライプと前記第1の凹部の前記端部との第1の間隔は、前記レーザストライプと前記第2の凹部の前記端部との第2の間隔より小さい、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (8)：
5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AP24
, 5F173AP83
, 5F173AP84
, 5F173AP92
, 5F173AR23
, 5F173AR93
Cited by applicant (5)
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窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-283225
Applicant：三洋電機株式会社
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半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-224997
Applicant：ローム株式会社
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窒化ガリウム系半導体レーザを作製する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-101576
Applicant：住友電気工業株式会社
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Cited by examiner (2)
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窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-283225
Applicant：三洋電機株式会社
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Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-224997
Applicant：ローム株式会社
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