強誘電体薄膜

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (8)：岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 高橋誠一郎 , 齋藤正巳 , 木村克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010218892
Publication number (International publication number)：2011093788
Application date： Sep. 29, 2010
Publication date： May. 12, 2011
Summary：

【課題】基板上に形成された強誘電体薄膜の薄膜全体において残留分極量を向上させた強誘電体薄膜を提供する。【解決手段】基板上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜であって、前記強誘電体薄膜はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群を含有し、前記柱状構造体群が前記基板表面に対して垂直方向に立位している、または前記垂直方向を中心として-10°以上+10°以下の範囲で傾斜している強誘電体薄膜。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜であって、前記強誘電体薄膜はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群を含有し、前記柱状構造体群が前記基板表面に対して垂直方向に立位している、または前記垂直方向を中心として-10°以上+10°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (9)：

C01G 51/00 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 41/18 , H01L 41/187 , H01L 41/24 , C01G 49/06 , H01B 3/00 , H01B 3/12

FI (9)：

C01G51/00 B , H01L27/10 444C , H01L41/18 101Z , H01L41/18 101B , H01L41/22 A , C01G49/06 Z , H01B3/00 F , H01B3/12 318Z , H01B3/12 339

F-Term (21)：

4G002AA06 , 4G002AA10 , 4G002AB01 , 4G002AD02 , 4G002AE02 , 4G002AE05 , 4G048AA03 , 4G048AB01 , 4G048AC03 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 5F083FR00 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083PR22 , 5G303BA03 , 5G303CB05 , 5G303CB09 , 5G303CB13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-296684 Applicant：キヤノン株式会社
強誘電体メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-173247 Applicant：セイコーエプソン株式会社
ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-236002 Applicant：国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Controlling Self-Assembled Perovskite-Spinel Nanostructures
Multiferroic BaTiO3-CoFe2O4 Nanostructures
Self-assembled multiferroic nanostructures in the CoFe2O4-PbTiO3 system

Show all

Return to Previous Page