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J-GLOBAL ID：200903018013548384

ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体

Inventor： 篠崎 和夫 ,  高 鉉龍 ,  脇谷 尚樹 ,  木口 賢紀 ,  近藤 正雄 ,  丸山 研二
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  富士通株式会社
Agent (3)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007236002
Publication number (International publication number)：2009070926
Application date： Sep. 11, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：

【課題】(111)、(001)もしくは(110)のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を容易に得る方法を提供する。さらに、このペロブスカイト型酸化物薄膜を下部電極として、その上に強誘電体薄膜等を積層することにより、優れた特性の強誘電体層等を得、これを有する半導体装置を提供しうる。【解決手段】基板の(001)面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して(111)、(001)もしくは(110)のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の(001)面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して(111)、(001)もしくは(110)のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得ることを特徴とするペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (2)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C

F-Term (39)：

4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA05 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 強誘電体メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-173247   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜キャパシタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-246849   Applicant：日本電気株式会社
• 金属酸化物薄膜を有する基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-145783   Applicant：日本特殊陶業株式会社

Cited by examiner (4)

• 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-166569   Applicant：富士通株式会社
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-094147   Applicant：株式会社東芝
• 圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375686   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-173247   Applicant：セイコーエプソン株式会社