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J-GLOBAL ID：201103018292981945

インプリントマスク、その製造方法、及び半導体装置の製造方法

Inventor：
伊藤 正光

About 伊藤 正光

, 
金光 真吾

About 金光 真吾


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010121446
Publication number (International publication number)：2011249567
Application date： May. 27, 2010
Publication date： Dec. 08, 2011
Summary：
【課題】精度よく位置合わせを行うことができるインプリントマスク、その製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】インプリントマスク1は、石英板10からなり、石英版10の上面の一部に複数の凹部11が形成されており、前記石英板10における前記凹部11間の部分が凸部12となっている。そして、凸部12、すなわち、凹部11間の部分には不純物としてガリウム(Ga)が含有されている。このガリウムは、上方からイオン注入されて導入されたものである。これにより、凸部12内には、ガリウム拡散層16が形成される。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
石英板からなり、上面の一部に複数の凹部が形成されており、前記石英板における前記凹部間の部分には不純物が含有されていることを特徴とするインプリントマスク。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/38
FI (4)：
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 B ,  B29C33/38 ,  H01L21/30 502M
F-Term (17)：
4F202AA44 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ06 ,  4F202CA01 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F209AA44 ,  4F209AJ06 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209AJ11 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F146AA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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