Pat
J-GLOBAL ID:201103026832793097
X線発生用ターゲット、X線発生装置、及びX線発生用ターゲットの製造方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (3):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 石田 悟
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010168460
Publication number (International publication number):2011077027
Application date: Jul. 27, 2010
Publication date: Apr. 14, 2011
Summary:
【課題】ターゲット部における放熱性の向上が図られたX線発生用ターゲットを提供すること。【解決手段】X線発生用ターゲットT1は、ダイヤモンドからなり、互いに対向する第1及び第2主面1a,1bを有する基板1と、ターゲット部10と、を備えている。基板1には、第1主面1a側から有底状の穴部3が形成されている。ターゲット部10は、穴部3の底面から第1主面1a側に向かって堆積された金属からなる。ターゲット部10の外側面全体は、穴部3の内側面と密着している。【選択図】図1
Claim (excerpt):
ダイヤモンドからなり、互いに対向する第1及び第2主面を有すると共に前記第1主面側から有底状の穴部が形成されている基板と、
前記穴部の底面から前記第1主面側に向かって堆積された金属からなり、その外側面全体が前記穴部の内側面と密着しているターゲット部と、を備えていることを特徴とするX線発生用ターゲット。
IPC (2):
FI (3):
H01J35/08 C
, H01J35/08 B
, H01J35/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
X線発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-148081
Applicant:住友電気工業株式会社
-
特開平2-297850
-
特開昭59-221948
-
X線発生器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-311379
Applicant:国立大学法人京都大学, 株式会社堀場製作所
-
荷電粒子ビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-257456
Applicant:エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
-
イオンビーム加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-306802
Applicant:セイコー電子工業株式会社
-
X線撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-048316
Applicant:株式会社日立製作所
-
情報取得装置、試料評価装置および試料評価方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-293517
Applicant:キヤノン株式会社
-
高輝度・高出力微小X線発生源とそれを用いた非破壊検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-187177
Applicant:科学技術振興事業団
Show all
Return to Previous Page