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J-GLOBAL ID：201103037988351479

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 澤木 宣彦 ,  本田 善央 ,  亀代 典史 ,  山口 雅史 ,  田中 成泰 ,  小出 典克
Applicant, Patent owner： 澤木 宣彦 ,  シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2002038263
Publication number (International publication number)：2003243702
Patent number：3884969
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Claim (excerpt)：

【請求項1】 (001)面から[0-1-1]方向に7.3度回転した主面を有するシリコン基板と、 前記シリコン基板に形成され、前記シリコン基板の主面より62度傾斜した(111)ファセット面かもしくはこの面から任意の方向に3度以内の範囲で傾いた第1の斜面および前記第1の斜面とは異なる第2の斜面を有する溝と、 前記第1の斜面上に形成され、(1-101)ファセット面を成長面とする窒化物半導体層と、 前記シリコン基板の主面上と前記溝の第2の斜面上とに選択的に形成され、前記窒化物半導体層の成長を抑制する成長抑制層と、 前記窒化物半導体層の前記成長面に向かって転位が延びることを抑制する転位抑制部と、 を備えることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-201092   Applicant：澤木宣彦, シャープ株式会社
• 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-112821   Applicant：澤木宣彦, シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-240413   Applicant：澤木宣彦, シャープ株式会社
• 半導体素子の形成方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-008844   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-381249   Applicant：ソニー株式会社
• GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-274555   Applicant：日本電気株式会社