炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010049627
Publication number (International publication number)：2011184224
Application date： Mar. 05, 2010
Publication date： Sep. 22, 2011
Summary：

【課題】炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】台座10上に炭化珪素種結晶13を固定する方法であって、前記台座10の種結晶側表面10aを鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座10の種結晶側表面10a及び前記炭化珪素種結晶13の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座10の種結晶側表面10aと前記炭化珪素種結晶13の台座側表面とを密着させた後に加圧して直接接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

台座上に炭化珪素種結晶を固定する方法であって、前記台座の種結晶側表面を鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座の種結晶側表面及び前記炭化珪素種結晶の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座の種結晶側表面と前記炭化珪素種結晶の台座側表面とを密着させて加圧することにより直接接合する工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素種結晶の固定方法。

IPC (1)：

C30B 29/36

FI (1)：

C30B29/36 A

F-Term (10)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077EG11 , 4G077HA02 , 4G077HA05 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4G077SA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-107302 Applicant：新日本製鐵株式会社
種結晶の固定方法および固定状態の評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-318010 Applicant：株式会社デンソー, 独立行政法人産業技術総合研究所
異種材料複合体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-344286 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ウエハ対応表面活性化接合装置の開発

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