パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高松猛 , 矢澤清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010003386
Publication number (International publication number)：2011141494
Application date： Jan. 08, 2010
Publication date： Jul. 21, 2011
Summary：

【課題】フォーカス余裕度(DOF)が広く、線幅バラツキ(LWR)が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。【解決手段】(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、 (A)酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、 (D)溶剤、及び、 (G)フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物を含有することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、 (A)酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、 (D)溶剤、及び、 (G)フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物を含有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7)：

G03F 7/004 , H01L 21/027 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , G03F 7/32 , C08F 20/34 , G03F 7/38

FI (9)：

G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , G03F7/32 , G03F7/32 501 , C08F20/34 , G03F7/004 515 , G03F7/38 501

F-Term (96)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA03 , 2H096GA18 , 2H096JA04 , 2H125AE01P , 2H125AE03P , 2H125AE04P , 2H125AE05P , 2H125AE06P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF21P , 2H125AF26P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF39P , 2H125AF45P , 2H125AF70P , 2H125AH04 , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH14 , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH19 , 2H125AH20 , 2H125AH29 , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ16Y , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AJ87Y , 2H125AJ88Y , 2H125AJ92Y , 2H125AM09P , 2H125AM12P , 2H125AM22P , 2H125AM23P , 2H125AM27P , 2H125AM30P , 2H125AM32P , 2H125AM43P , 2H125AM57P , 2H125AM86P , 2H125AM99P , 2H125AN08P , 2H125AN31P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN45P , 2H125AN50P , 2H125AN54P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN65P , 2H125AN67P , 2H125AN82P , 2H125AN86P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CC17 , 2H125CD08P , 2H125CD40 , 2H125FA03 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL26P , 4J100AP16Q , 4J100BA15P , 4J100BA20P , 4J100BA31P , 4J100BA72Q , 4J100BB07P , 4J100BB18Q , 4J100BC03P , 4J100BC43P , 4J100BC65P , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-159085 Applicant：信越化学工業株式会社
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-079147 Applicant：富士フイルム株式会社
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-086625 Applicant：信越化学工業株式会社

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