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J-GLOBAL ID：200903009145476626

パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ型現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ型現像用リンス液

Inventor： 椿 英明 ,  樽谷 晋司 ,  水谷 一良 ,  和田 健二 ,  星野 渉
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007197838
Publication number (International publication number)：2008281974
Application date： Jul. 30, 2007
Publication date： Nov. 20, 2008
Summary：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。【解決手段】(ア)特定の繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するレジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(ア)下記一般式(NGH-1)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するレジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程及び (エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程 を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/30 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28

FI (8)：

G03F7/30 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 569E ,  C08F20/28

F-Term (67)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025AD07 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096GA09 ,  2H096GA18 ,  2H096JA08 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL04Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08S ,  4J100AR09R ,  4J100AR11R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA10R ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA12R ,  4J100BA15R ,  4J100BA15S ,  4J100BA55R ,  4J100BB01P ,  4J100BB01R ,  4J100BB03P ,  4J100BB07P ,  4J100BB18R ,  4J100BC02P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC07P ,  4J100BC08S ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC12S ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100BC58S ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38 ,  5F046LA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-381798   Applicant：株式会社ニコン
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-285762   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ネガ型感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-262027   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• レジスト現像液および現像方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-023449   Applicant：日本ゼオン株式会社
• レジスト現像液及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-039100   Applicant：株式会社リコー
• ネガ型フォトレジスト用現像液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357157   Applicant：徳山石油化学株式会社
• パタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-001907   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-075494   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• パタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-001907   Applicant：株式会社東芝
• レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-060541   Applicant：ソマール株式会社