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J-GLOBAL ID：200903058959432647

レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
水谷 一良

About 水谷 一良

, 
杉山 真一

About 杉山 真一


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007079147
Publication number (International publication number)：2008241870
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【課題】活性光線又は放射線、特に電子線、X線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、ラインエンドショートニング、現像欠陥が低減され、良好なプロファイルを形成できるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】フッ素原子で置換された、アルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択された基、及び、極性基を有する含窒素化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
フッ素原子で置換された、アルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択された基、及び、極性基を有する含窒素化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (5)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/10
FI (5)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F12/22 ,  C08F20/10
F-Term (43)：
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AC13P ,  4J100AC53P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL26Q ,  4J100AM03P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA12Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA22P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC44P ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • パターン形成材料及びパターン形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-352628   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特表平7-508840号公報
  • 特開平3-200968号公報
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Cited by examiner (12)
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