III族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009287590
Publication number (International publication number)：2011129752
Application date： Dec. 18, 2009
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なIII族窒化物結晶基板、エピ層付III族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶基板1は、III族窒化物結晶基板1の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面1sからのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが1.7×10-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のc軸を含む面から[0001]方向に-10°以上10°以下の傾斜角を有する。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

III族窒化物結晶基板の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら前記結晶基板の主表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d1と5μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される前記結晶基板の表面層の均一歪みが1.7×10-3以下であり、前記主表面の面方位が、前記結晶基板のc軸を含む面から[0001]方向に-10°以上10°以下の傾斜角を有するIII族窒化物結晶基板。

IPC (5)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 33/32 , H01S 5/343 , C30B 29/38

FI (5)：

H01L21/205 , H01L21/20 , H01L33/00 186 , H01S5/343 610 , C30B29/38 D

F-Term (75)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB04 , 4G077AB07 , 4G077AB08 , 4G077AB09 , 4G077AB10 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EB06 , 4G077GA05 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 5F041AA04 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC02 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045GB01 , 5F045GB11 , 5F045GH03 , 5F045GH06 , 5F045GH10 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL07 , 5F152LL09 , 5F152LL12 , 5F152LN05 , 5F152LP09 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM16 , 5F152MM18 , 5F152NN05 , 5F152NN07 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NP09 , 5F152NQ09 , 5F173AA01 , 5F173AH22 , 5F173AL03 , 5F173AL04 , 5F173AL05 , 5F173AP05 , 5F173AP82 , 5F173AQ02 , 5F173AQ03 , 5F173AQ05 , 5F173AR84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-207783 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-183111 Applicant：住友電気工業株式会社
特許第4305574号

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