カーボンナノウォールの選択成長方法、およびカーボンナノウォールを用いた電子デバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010059472
Publication number (International publication number)：2011190156
Application date： Mar. 16, 2010
Publication date： Sep. 29, 2011
Summary：

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。【解決手段】SiO2 からなる基板100上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのTi膜101を形成した。次に、SiO2 基板100上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Tiからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Tiからの成長開始時間よりも長い。その結果、SiO2 基板100上のうち、Ti膜101が形成されずにSiO2 が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ti膜101上にのみ、カーボンナノウォール102が形成された。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

基材の所定の面に、第1の材料からなる第1領域と、前記第1の材料よりもカーボンナノウォールの成長開始時間が長い第2の材料からなる第2領域とを設け、カーボンナノウォールの成長時間を、前記第1の材料のカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、前記第2の材料のカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間とすることで、前記第1領域上にカーボンナノウォールを選択成長させる、ことを特徴とするカーボンナノウォールの選択成長方法。

IPC (6)：

C01B 31/02 , B82B 3/00 , B82B 1/00 , H01L 21/205 , H01L 29/06 , H01L 29/786

FI (6)：

C01B31/02 101F , B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/205 , H01L29/06 601N , H01L29/78 618B

F-Term (74)：

4G146AA07 , 4G146AB06 , 4G146AB07 , 4G146AB08 , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146AD05 , 4G146AD29 , 4G146BA08 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC23 , 4G146BC24 , 4G146BC25 , 4G146BC32B , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G146DA22 , 4G146DA35 , 4G146DA40 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC02 , 5F045AC16 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045AF20 , 5F045BB08 , 5F045CA05 , 5F045DA61 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EF09 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F045EH19 , 5F045EK07 , 5F110AA16 , 5F110CC10 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110EE03 , 5F110EE22 , 5F110FF02 , 5F110FF12 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HM02 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

微細構造体の製造方法および微細構造体、ならびに記録装置の製造方法および記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-294398 Applicant：ソニー株式会社
カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-218578 Applicant：エルジー電子株式会社
カーボンナノウォール及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-081314 Applicant：国立大学法人名古屋大学, NUエコ・エンジニアリング株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

カーボンナノウォール成長における基板組成効果

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