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J-GLOBAL ID:201103060460003462

カーボンナノウォールの選択成長方法、およびカーボンナノウォールを用いた電子デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010059472
Publication number (International publication number):2011190156
Application date: Mar. 16, 2010
Publication date: Sep. 29, 2011
Summary:
【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。【解決手段】SiO2 からなる基板100上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのTi膜101を形成した。次に、SiO2 基板100上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Tiからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Tiからの成長開始時間よりも長い。その結果、SiO2 基板100上のうち、Ti膜101が形成されずにSiO2 が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ti膜101上にのみ、カーボンナノウォール102が形成された。【選択図】図5
Claim (excerpt):
基材の所定の面に、第1の材料からなる第1領域と、前記第1の材料よりもカーボンナノウォールの成長開始時間が長い第2の材料からなる第2領域とを設け、 カーボンナノウォールの成長時間を、前記第1の材料のカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、前記第2の材料のカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間とすることで、前記第1領域上にカーボンナノウォールを選択成長させる、 ことを特徴とするカーボンナノウォールの選択成長方法。
IPC (6):
C01B 31/02 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786
FI (6):
C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B
F-Term (74):
4G146AA07 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AD05 ,  4G146AD29 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC24 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA22 ,  4G146DA35 ,  4G146DA40 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA05 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EK07 ,  5F110AA16 ,  5F110CC10 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE03 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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