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J-GLOBAL ID：201103064237015977

単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法

Inventor：
野口 仁

About 野口 仁


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009230776
Publication number (International publication number)：2011079683
Application date： Oct. 02, 2009
Publication date： Apr. 21, 2011
Summary：
【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材10であって、単結晶シリコン基板13と、単結晶シリコン基板13の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜11と、MgO膜11上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜12とからなる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材であって、少なくとも、単結晶シリコン基板と、該単結晶シリコン基板の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたMgO膜と、該MgO膜上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜とからなるものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材。
IPC (7)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/02 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14
FI (7)：
C30B29/04 Q ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/02 ,  C23C14/06 N ,  C23C14/08 J ,  C23C14/14 D
F-Term (40)：
4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB17 ,  4G077DB19 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TB07 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4G077TK13 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA43 ,  4K029BB09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB21 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA03 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030DA02 ,  4K030JA10 ,  4K030KA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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