オフ角を有する単結晶基板の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006204248
Publication number (International publication number)：2008031503
Application date： Jul. 27, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：

【課題】ダイヤモンド等の単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する単結晶基板を簡単かつ大量に製造することが可能な方法を提供する。【解決手段】気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、基板のオフ角を有する表面にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって基板のオフ角を有する表面上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させることを特徴とする、オフ角を有する単結晶基板の製造方法。

IPC (4)：

C23C 16/02 , H01L 21/205 , C30B 29/04 , C30B 25/20

FI (4)：

C23C16/02 , H01L21/205 , C30B29/04 E , C30B25/20

F-Term (37)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE08 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TB07 , 4G077TC16 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030LA12 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC15 , 5F045AF02 , 5F045BB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許5,587,210
ダイヤモンドの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-086792 Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (3)

GaN単結晶基板の製造方法及びGaN単結晶基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-276337 Applicant：住友電気工業株式会社
ダイヤモンドの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-086792 Applicant：住友電気工業株式会社
結晶成長方法及び窒化ガリウム系化合物薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-340457 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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