金属ナノ粒子を有する抵抗変化メモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009246473
Publication number (International publication number)：2011096714
Application date： Oct. 27, 2009
Publication date： May. 12, 2011
Summary：

【課題】抵抗変化メモリ素子の抵抗値のばらつきがなく、動作電圧の制御が可能な抵抗変化メモリ素子を提供する。【解決手段】第1電極100と、第1電極100上に形成された遷移金属酸化物の抵抗変化層110と、抵抗変化層110上に形成された第2電極130、及び抵抗変化層110内に形成される金属ナノ粒子120を含む抵抗変化メモリ素子であって、フィラメント電流経路140は第2電極130と金属ナノ粒子120間でのみ形成される。これにより、メモリ素子の抵抗値を安定化することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1電極と、前記第1電極上に形成された遷移金属酸化物の抵抗変化層と、前記抵抗変化層上に形成された第2電極、及び第2電極とのみフィラメント電流経路を形成する金属ナノ粒子を前記抵抗変化層内に含むことを特徴とする抵抗変化メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

抵抗変化素子とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-232327 Applicant：パナソニック株式会社
超分子構造物質の改質方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-078756 Applicant：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-089776 Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Ptナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 Application of Pt Nano-Dot to Resistive Switching Memory
Ptナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 Application of Pt Nano-Dot to Resistive Switching Memory

Return to Previous Page