超分子構造物質の改質方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小倉啓七
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004078756
Publication number (International publication number)：2005268531
Application date： Mar. 18, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】金属化合物を内包する超分子構造物質であるタンパク質のコアを導電性に改質する方法を提供し、超分子構造物質をフローティングゲートメモリ等のドットの部分に適用する。【解決手段】水溶液の上に張られたポリペプチド膜にフェリチンを吸着させ、さらにシリコン基板に転写し、フェリチンを半導体表面に2次元配列させた後、UVオゾン処理によって外側のタンパクを除去し、コアのみとする。該コアは金属酸化物となって、タンパク質のサイズのピッチでシリコン基板上に残る。このコアを励起したガス雰囲気の中に放置することによって、コアの性質を電荷が保持されるように改質する。ドットを構成する物質と励起ガスの間で化学反応を起こさせ、コア物質の性質を絶縁性のものから導電性を有するものに変化させる。励起ガスには、高周波電源(RF電源、マイクロ波電源)により、水素ガス等を励起活性種の状態にしたものを用いる。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

超分子構造物質が内包可能な金属化合物もしくは半導体を、プラズマ処理によって導電化したものが、二次元的に絶縁膜層内部に配置されていることを特徴とする量子ドット。

IPC (4)：

H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (2)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

F-Term (16)：

5F083EP07 , 5F083EP22 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083ER13 , 5F083ER22 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA60 , 5F101BA12 , 5F101BA19 , 5F101BB02 , 5F101BC11 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

二次元的に配置された量子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-148943 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (6)

ドット体の形成方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-338952 Applicant：松下電器産業株式会社
量子素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-015381 Applicant：松下電器産業株式会社
負荷抵抗体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-321090 Applicant：聯華電子股ふん有限公司

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