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J-GLOBAL ID：201103069894933376

フォトレジスト又はドライエッチングを必要としないパターン化ハードマスク薄膜(RFP)形成のプロセスシーケンス

Inventor：
ネマニ, スリニヴァス, ディ.

About ネマニ, スリニヴァス, ディ.

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ヴェンカタラマン, シャンカー

About ヴェンカタラマン, シャンカー

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イエ, エリー, ワイ.

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Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

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Agent (2)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010547681
Publication number (International publication number)：2011520242
Application date： Feb. 05, 2009
Publication date： Jul. 14, 2011
Summary：
本発明の一実施形態によれば、紫外線を用いてハードマスク薄膜をパターニングする方法及びシステムが開示される。本発明の実施形態は、ハードマスクパターンを作るためのフォトレジストの被着及びエッチングの加工上の問題を軽減する。最初に、酸化ケイ素などのハードマスク層を被着チャンバ内で基板上に被着させる。場合により、被着に続いてハードマスク層をベーク又はアニールする。その後、ハードマスク層の一部を紫外線で露光する。紫外線はハードマスク材料の露光部分及び未露光部分のパターンを作る。露光に続いて、ハードマスクの未露光部分を除去するウェットエッチングなどのエッチングプロセスが行われてもよい。エッチングに続いて、ハードマスクをアニールするか、ベークするか、又はプラズマ処理してもよい。
Claim (excerpt)：
紫外線を用いてハードマスク薄膜をパターニングする方法であって、 被着チャンバ内でハードマスク層を基板上に被着させることと、 紫外線で露光されたハードマスクの部分が、ハードマスク層上に露光領域のパターンを形成する、ハードマスク層の一部を紫外線で露光することと、 エッチングがハードマスク層の未露光部分を除去する、ハードマスク層をエッチングすることと、 を含む方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/306
FI (9)：
H01L21/30 502R ,  H01L21/30 502G ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  H01L21/306 D ,  H01L21/302 104Z ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101C
F-Term (29)：
5F004BB13 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA06 ,  5F043AA31 ,  5F043AA33 ,  5F043BB22 ,  5F043DD08 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F046AA20 ,  5F046AA28 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF37 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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