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J-GLOBAL ID：201103076096662874

強誘電体膜、電子部品及び強誘電体膜の製造方法

Inventor： 木島 健 ,  本多 祐二 ,  早川 晴仁
Applicant, Patent owner： 株式会社ユーテック
Agent (2)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009173435
Publication number (International publication number)：2011029399
Application date： Jul. 24, 2009
Publication date： Feb. 10, 2011
Summary：

【課題】結晶化しようとする強誘電体膜の配向を変換して任意に制御した強誘電体膜を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る強誘電体膜は、基板上に形成された(111)配向したPt膜4と、前記Pt膜上に形成されたPZT膜6と、を具備し、前記PZT膜は、(111)+(001)、(001)、(001)+(110)及び(110)のいずれかに配向されていることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された所定の結晶面に配向した下地膜と、 前記下地膜上に形成された強誘電体膜と、 を具備し、 前記強誘電体膜は、前記所定の結晶面と異なる結晶面に配向されていることを特徴とする強誘電体膜。

IPC (8)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  C23C 16/27

FI (8)：

H01L21/316 P ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  C23C16/27 ,  H01L21/316 G

F-Term (21)：

4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F083FR00 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• セラミックス、ならびに誘電体キャパシタ、アクチュエータ、光変調器、及び超音波センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-322706   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 複合酸化物積層体、複合酸化物積層体の製造方法、デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-256416   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-236002   Applicant：国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社
• 強誘電体薄膜素子の製造方法及び加熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-173609   Applicant：セイコーエプソン株式会社