複合酸化物積層体、複合酸化物積層体の製造方法、デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：布施行夫 , 大渕美千栄 , 伊奈達也 , 竹腰昇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005256416
Publication number (International publication number)：2007073598
Application date： Sep. 05, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板20と、前記基板20の上方に形成され、一般式ABO3で表される第1複合酸化物層24と、前記第1複合酸化物層24の上方に形成され、一般式AB1-xCxO3で表される第2複合酸化物層26と、を含み、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、WおよびHfの少なくとも一つからなり、C元素は、NbおよびTaの少なくとも一つからなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上方に形成され、一般式ABO3で表される第1複合酸化物層と、前記第1複合酸化物層の上方に形成され、一般式AB1-xCxO3で表される第2複合酸化物層と、を含み、 A元素は、少なくともPbからなり、 B元素は、Zr、Ti、V、WおよびHfの少なくとも一つからなり、 C元素は、NbおよびTaの少なくとも一つからなる、複合酸化物積層体。

IPC (8)：

H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 41/24 , H03H 9/25 , H03H 3/08

FI (9)：

H01L21/316 G , H01L27/10 444B , H01L27/10 444C , H01L41/08 J , H01L41/08 L , H01L41/18 101D , H01L41/22 A , H03H9/25 Z , H03H3/08

F-Term (27)：

5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ04 , 5F083FR02 , 5F083FR10 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5J097AA06 , 5J097AA29 , 5J097BB01 , 5J097BB11 , 5J097FF01 , 5J097FF03 , 5J097KK01 , 5J097KK09 , 5J097KK10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

酸化物膜の製造方法と強誘電体メモリの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-320452 Applicant：日本電気株式会社
圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びこれらの製造方法並びにインクジェットプリンタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-030472 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (3)

多層プリント配線板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-350731 Applicant：イビデン株式会社
メモリの素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-109580 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体膜、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-287087 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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